仕事関数

PHASE(ver.900)を用いてグラファイトの仕事関数の計算を行おうとしています。

計算の手順は、①スラブモデルでphase.exeを実行し、次に②stm.exeでvlcr.dataを得ています。③このvlcr.data をExcelで解析しポテンシャル分布図を得ています。④次にこのポテンシャル分布図から仕事関数を求めています。この方法によりシリコン(001)結晶では良好な結果が得られています。

しかしながら、グラファイトの場合は、

①カットオフエネルギを変えると仕事関数の値が変わったり、フェルミエネルギの値が変わってしまい、どれが正しい仕事関数かの判断が出来ません。

②またカットオフエネルギを変えると真空準位のポテンシャル分布がフラットになりません。

カットオフエネルギを大きくしていくと現象は顕著に現れます。ちなみにグラファイトではaccuracyのcutoff_wfを6 rydberg、 cutoff_cdを24 rydbergまで下げないと真空準位の部分がフラットになりません。カットオフエネルギをそれ以上に上げると真空準位のポテンシャルがフラットになりません。シリコン(001)表面の場合はカットオフエネルギを変えても仕事関数はほぼ一定値を示しています。

仕事関数を計算されている方でこのような経験がございましたらご教示願いたく、よろしくお願い致します。

甲賀淳一朗様

筑波大学の樋口です。先生にご指導戴いたsw_deficit_charge = on を追加して計算してみました。その結果予測通りの結果を得ることが できました。先生のような著名な方のご指導を受け感謝しています。

実はこの件で約半年悩んでいました。本当にありがとうございました。

今後ともご指導の程よろしくお願い致します。