PHASE(ver.900)を用いてグラファイトの仕事関数の計算
を行おうとしています。
計算の手順は、�@スラブモデルでphase.exeを実行し、次
に�Astm.exeでvlcr.dataを得ています。�Bこのvlcr.data
をExcelで解析しポテンシャル分布図を得ています。�C次
にこのポテンシャル分布図から仕事関数を求めています。
この方法によりシリコン(001)結晶では良好な結果が得ら
れています。
しかしながら、グラファイトの場合は、
�@カットオフエネルギを変えると仕事関数の値が変わっ
たり、フェルミエネルギの値が変わってしまい、どれが
正しい仕事関数かの判断が出来ません。
�Aまたカットオフエネルギを変えると真空準位のポテン
シャル分布がフラットになりません。
カットオフエネルギを大きくしていくと現象は顕著に現
れます。
ちなみにグラファイトではaccuracyのcutoff_wfを6 rydberg、
cutoff_cdを24 rydbergまで下げないと真空準位の部分が
フラットになりません。カットオフエネルギをそれ以上
に上げると真空準位のポテンシャルがフラットになりません。
シリコン(001)表面の場合はカットオフエネルギを変えても
仕事関数はほぼ一定値を示しています。

仕事関数を計算されている方でこのような経験がございま
したらご教示願いたく、よろしくお願い致します。