XPSの解析のための擬ポテンシャルの作成について

　管理者様

　名古屋工業大学の宮崎です。お世話になっております。

　XPSの解析を行うために、内殻正孔を含むポテンシャルの作成を試みていますが、
わかないことがあり、投稿させて頂きます。

　ciaoのマニュアルには以下のような記載がありました。

1. 14 個の電子からなる (1s) 2 (2s) 2 (2p) 6 (3s) 2 (3p) 2 の電子配置の中性シリコン原子において，2p 準位の電子 1 個を 3p 準位に移動して (1s) 2 (2s) 2 (2p) 5 (3s) 2 (3p) 3 とした励起状態の中性シリコン原子を考える

2. その原子の全電子計算を自己無撞着におこなう

3. 価電子として (3s) 2 (3p) 3 の 5 個の電子をはがしてイオン化する

4. このようにして，内殻正孔を有し 5 価にイオン化したシリコン原子の擬ポテンシャルができる

　1および2までは問題なく作業をできましたが、3の計算方法がマニュアルを読みましたが、
作業することができませんでした。マニュアルのSiの場合、どのような入力ファイルで、どの
ような作業をすればいいか、ご教授いただければ幸いです。

　以上、何卒、宜しくお願い致します。

　宮崎