STM像のシミュレーション

アスムス甲賀と申します. 大変お世話になります.

> まず num_bands を108 に変えc_vector=30.748  を42.904365360 にすれば良いでしょうか

むしろ，stmプログラムの入力の方を合わせていただいた方がよいと思います.

ただ，このサンプルのc軸は短いので，長くしていただいた方がよいかもしれません．

>  ユーザマニュアルのSTM のインプットでは長軸がx なので10 カラム目が1になっている考えてよろしいのでしょうか

その通りです．

> iziはoutput000のどこを見れば決められるのでしょうか

iziは経験的なパラメーターです．izfよりも小さく，真空域が始まると考えられる場所を指定します．

Previously Yasuo Kurita wrote:

理科大の栗田です。

格子誘電率の計算の件ではお世話になりました。

今度はSTM像のシミュレーションについて、ご指導願えないでしょうか

STMの計算のPhase 用の入力を作るため,計算例4の水素終端Si(001)  表面の入力を変更して見たいと考えます。

まず num_bands を108 に変えc_vector=30.748  を42.904365360 にすれば良いでしょうか

ユーザマニュアルのSTM のインプットでは長軸がx なので10 カラム目が1になっている考えてよろしいのでしょうか

8 行目のnlpfと9行目のizf はFFT  格子点数を見れば良いのですが、iziはoutput000のどこを見れば決められるのでしょうか、また、水素分子との関連はどのように取り扱えればよいでしょうか

初歩的な質問ですが何卒、よろしく、お願いいたします。

Kurita