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: ソルバーや電荷密度の混合法の指定, 後処理の指定 : PHASE入力ファイル作成ウィザード : 座標の指定   目次

計算精度の指定

図 5.2 (b)で``next''をクリックすると, 計算精度を設定するための画面, 図 5.3が得られます. この画面上で設定できる項目を, 画面上の数字に合わせて説明します. なお, 第 5.1.2.1節において指定した座標に応じたデフォルト値があらかじめ入力されています.

図 5.3: 計算精度設定用GUI.
l0.5
Image wizard_SCF2

  1. バンド数と$ \bm {k}$点サンプリング: バンド数と$ \bm {k}$点サンプリングの方法やメッシュの細かさを指定します.
  2. カットオフと収束条件の設定: カットオフエネルギーと収束条件を設定します. 波動関数のカットオフエネルギーは, 擬ポテンシャルファイルに記載があればその値, ない場合は10 hartreeという値がデフォルトです. 電荷のカットオフエネルギーは, ノルム保存型の擬ポテンシャルの場合は波動関数のカットオフエネルギーの4倍, ない場合は9倍という値がデフォルトです.
  3. 構造緩和の設定: 構造緩和を行う場合, ``optimize structure''チェックボックスを有効にしてください. また, 力の収束判定も入力してください(デフォルト値: $ 5 \times 10^{-4}$ hartree/bohr). さらに, ストレステンソルを計算したい場合``calculate stress tensor''チェックボックスを有効にしてください.

座標の指定の場合と同様, ここでの設定でよいのならば``OK''を, さらに詳細に設定するのならば``next''をクリックしてください.



jkoga 平成22年4月27日